[发明专利]一种IGBT栅极电阻可变电路

摘要

本发明公开了一种IGBT栅极电阻可变电路，包括IGBT驱动电路、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、场效应管、IGBT；所述第一电阻为IGBT栅极电阻；所述场效应管为N沟道增强型；所述IGBT驱动电路经由正、负极接线端输出驱动电压，驱动电压为正用于开通IGBT，驱动电压为负用于关断IGBT；IGBT驱动电路的正极与第一电阻的一端及场效应管的源极相连；IGBT驱动电路的负极与IGBT的发射极、第二电阻的一端及第二二极管的阴极相连；场效应管的栅极与第二电阻的另一端及第二二极管的阳极相连；第一电阻的另一端与IGBT的栅极及第一二极管的阳极相连；场效应管的漏极与第一二极管的阴极相连。本发明与现有技术相比，优点是IGBT的关断状态不会受到集电极‑发射极间高频电压分量的影响。

主权项

一种IGBT栅极电阻可变电路，其特征在于：包括IGBT驱动电路、第一电阻(Rg)、第二电阻(R)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、场效应管(Q)及IGBT；所述第一电阻(Rg)为IGBT栅极电阻；所述场效应管(Q)为N沟道增强型；所述IGBT驱动电路经由正极和负极接线端输出驱动电压；所述IGBT驱动电路的正极与第一电阻(Rg)的一端及场效应管(Q)的源极相连；IGBT驱动电路的负极与IGBT的发射极、第二电阻(R)的一端及第二二极管(D2)的阴极相连；场效应管的栅极与第二电阻(R2)的另一端及第二二极管(D2)的阳极相连；第一电阻(Rg)的另一端与IGBT的栅极及第一二极管(D1)的阳极相连；场效应管(Q)的漏极与第一二极管(D1)的阴极相连。