[发明专利]高长径比硫化镍单晶纳米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201710003161.X | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106757367A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杜卫民;张有娟;徐亚利;魏少红;魏成振 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/62;C30B7/14 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙)41104 | 代理人： | 时立新 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，属于功能纳米材料制备技术领域。该方法以硫脲为硫源，以吡啶为反应溶剂，采用溶剂热法制备具有良好电化学性能的高长径比NiS单晶纳米线阵列。方法简单、效率高、成本低，制备的高长径比NiS单晶纳米线阵列，其直径约30纳米，长度约2微米，长径比为671，具有较好的超电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | 长径 硫化 镍单晶 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过以下步骤实现：1）配制化学反应液：将硫源溶于吡啶中，配制成反应液；其中硫源在反应液中的浓度为0.7～1.0 mol•L‑1；2）合成高长径比NiS纳米线阵列：先将处理过的泡沫镍放入到高压反应釜中，再将上述配制好的反应液移入，在170‑190℃条件下反应，反应结束后，自然冷却到室温，将泡沫镍取出，分别用无水乙醇、蒸馏水交替冲洗数次，真空干燥，即获得高长径比NiS单晶纳米线阵列；硫脲与泡沫镍的质量比范围为9～5：1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安阳师范学院，未经安阳师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710003161.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
