[发明专利]一种防止三选二共卡槽烧卡的装置及移动终端、手机在审
| 申请号： | 201710001072.1 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106685451A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李谭德;陈兴春;雷玉雄 | 申请（专利权）人： | 捷开通讯（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/3816 | 分类号： | H04B1/3816;H04M1/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰;顾楠楠 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了通讯设备领域的一种能够防止三选二共卡槽烧卡的装置及使用方法，主要解决现有技术中三选二共卡槽存在的烧卡情况的技术问题。本发明通过采用所述装置包括连接SIM卡与SD_CARD的SIM_EINT端口；一个G极连接SIM_EINT端口，S极连接第一接地点，D极连接电阻R13的第二端的NMOS管；一个G极连接所述NMOS管的D极及电阻R13第1端，S极连接电阻R13第2端口及VMCH_PMU端口，D极连接VMCH端口及R15第1端口的PMOS管的技术方案，较好的解决了该问题，可用于手机、平板及数据卡等通讯设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 三选二共卡槽烧卡 装置 移动 终端 手机 | ||
【主权项】：
一种防止三选二共卡槽烧卡的装置，其特征在于：所述装置包括连接SIM卡与SD_CARD的SIM_EINT端口；一个G极连接SIM_EINT端口，S极连接第一接地点，D极连接电阻R13的第二端的NMOS管；一个G极连接所述NMOS管的D极及电阻R13第1端，S极连接电阻R13第2端口及VMCH_PMU端口，D极连接VMCH端口及R15第1端口的PMOS管；所述电阻R15第2端口连接到第二接地点，用于减小VMCH端口断电的时间；所述电阻R13用于控制SD下电的时间；所述VMCH_PMU端口用于连接软件控制模块；所述VMCH端口用于连接LDO供电模块。
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