[发明专利]具有高介电常数的可光成像薄膜在审
| 申请号： | 201680070640.7 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108369375A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | C·沃尔福-古普塔;饶袁桥;韩淅;W·H·H·伍德沃德 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/075 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制备可光成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)包含聚硅氧烷粘合剂和光活性物质的正性光致抗蚀剂；和(b)官能化氧化锆纳米粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 可光成像 聚硅氧烷粘合剂 正性光致抗蚀剂 官能化氧化锆 高介电常数 光活性物质 纳米粒子 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备可光成像膜的制剂；所述制剂包含：(a)包含聚硅氧烷粘合剂和光活性物质的正性光致抗蚀剂；和(b)官能化氧化锆纳米粒子。
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