[发明专利]用于高高宽比结构的X光散射测量计量

摘要

本文描述用于使用透射小角度x光散射T‑SAXS技术特性化高高宽比垂直制造装置的尺寸及材料性质的方法及系统。示范性结构包含自旋转移力矩随机存取存储器STT‑RAM、垂直NAND存储器V‑NAND、动态随机存取存储器DRAM、三维快闪存储器3D‑FLASH、电阻性随机存取存储器Re‑RAM及PC‑RAM。在一个方面中，以接近法向入射角较密集集中且以较远离所述法向入射角的定向较不密集集中的若干不同定向执行T‑SAXS测量。在另一方面中，使用T‑SAXS测量数据以基于检测到的衍射级的经测量强度产生经测量结构的图像。在又一方面中，计量系统经配置以产生针对组合的x光及光学测量分析的模型。

主权项

1.一种计量系统，其包括：x光照明源，其经配置以产生一定量的x光辐射；x光照明光学器件子系统，其经配置以以相对于形成于晶片表面上的测量目标的多个定向使用所述一定量的x光辐射的聚焦光束照明所述测量目标，其中所述测量目标包含一或多个高高宽比结构，且其中所述多个不同定向接近法向于所述晶片表面较密集集中且以较远离法向于所述晶片表面的定向较不密集集中；x光检测器，其经配置以响应于以每一定向的x光辐射的所述入射光束而检测各与自所述测量目标散射的一定量的辐射的一或多个衍射级相关联的一或多个强度；及计算系统，其经配置以基于以所述多个不同定向的所述衍射级的所述检测到的强度确定与所述测量目标的模型相关联的所关注参数的值。