[发明专利]具有选择性储存的多级非易失性缓存在审
申请号: | 201680068787.2 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN108351836A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | S.N.特里卡;S.普蒂尔斯基 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F12/0897 | 分类号: | G06F12/0897 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐红燕;申屠伟进 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在实施例中,描述了与多级缓存相关联的装置、方法和存储介质。第一存储级别可以从多级缓存的第二存储级别接收输入/输出(I/O)请求,其中该I/O请求与数据相关联。第一存储级别还可以接收要指示数据是否被存储或将被存储在第二存储级别中的指示符。第一存储级别可以基于指示符来确定是否要将数据存储在第一存储级别中。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 存储级别 多级缓存 指示符 存储 关联 存储介质 非易失性 接收输入 数据存储 指示数据 储存 输出 | ||
【主权项】:
1.一种用于多级缓存的装置,包括:要与第二存储级别一起形成用于存储设备的多级缓存的第一存储级别,其中第二存储级别处于比第一存储级别更高的级别,并且其中第一存储级别包括:存储器;以及耦合到所述存储器的控制器,所述控制器要:接收与数据相关联的输入/输出(I/O)请求;接收来自第二存储级别的、要指示所述数据是否被存储或将被存储在第二存储级别或比第二存储级别更高的存储级别中的指示符;以及基于所述指示符来确定是否要将所述数据存储在所述存储器中。
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- 具有选择性储存的多级非易失性缓存-201680068787.2
- S.N.特里卡;S.普蒂尔斯基 - 英特尔公司
- 2016-11-16 - 2018-07-31 - G06F12/0897
- 在实施例中,描述了与多级缓存相关联的装置、方法和存储介质。第一存储级别可以从多级缓存的第二存储级别接收输入/输出(I/O)请求,其中该I/O请求与数据相关联。第一存储级别还可以接收要指示数据是否被存储或将被存储在第二存储级别中的指示符。第一存储级别可以基于指示符来确定是否要将数据存储在第一存储级别中。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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