[发明专利]由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法有效
申请号: | 201680048587.0 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN107923038B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 原田了辅;重富利幸;石坂翼;青山达贵 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/16 | 分类号: | C23C16/16;C07F15/00;H01L21/28;H01L21/285 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张苏娜;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种由双核钌配合物构成的化学蒸镀用原料,其用于通过化学蒸镀法制造钌薄膜或钌化合物薄膜,其中,该双核钌配合物由下式(1)表示,其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌而成的。根据本发明的原料可以制造高纯度的钌薄膜,且熔点较低,并兼具适度的热稳定性。因此,适合应用于各种设备的电极等。 | ||
搜索关键词: | 双核钌 配合 构成 化学 蒸镀用原 料及 使用 蒸镀用 原料 蒸镀法 | ||
【主权项】:
1.一种化学蒸镀法,其为将由双核钌配合物构成的原料气化而形成原料气体,并且一边将所述原料气体导入到基板表面一边进行加热的钌薄膜或钌化合物薄膜的化学蒸镀法,在所述化学蒸镀法中,/n双核钌配合物作为所述原料,/n所述双核钌配合物由下式(1)表示,其是通过羰基及含氮的有机配位体(L)配位于金属键结的2个钌上而成的:/n[化1]/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的