[实用新型]湿式蚀刻装置有效
申请号: | 201621061323.2 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN206003750U | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 苏左将 | 申请(专利权)人: | 顶程国际股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾台中 *** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿式蚀刻装置。此湿式蚀刻装置包含转盘、第一酸液供应单元与第二酸液供应单元。其中,转盘用以承载晶圆。第一酸液供应单元设置在晶圆的上表面的上方,且第二酸液供应单元邻设于第一酸液供应单元。第一酸液供应单元以沿着晶圆的上表面并通过转盘轴心的方式移动。前述的第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面,且每个供应通道分别连通顶面与底面。第二酸液供应单元不设置在第一酸液供应单元的移动路径上。本实用新型的湿式蚀刻装置可控制晶圆蚀刻的表面均匀度,并提升其控制精准度。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种湿式蚀刻装置,其特征在于,所述湿式蚀刻装置包含:转盘,用以承载晶圆;第一酸液供应单元,设置在所述晶圆的上表面的上方,其中所述第一酸液供应单元以沿着所述上表面并通过所述转盘的轴心的方式移动,所述第一酸液供应单元的第一出液端与所述上表面具有第一距离,且所述第一酸液供应单元朝所述上表面至少供应第一酸液;以及第二酸液供应单元,邻设于所述第一酸液供应单元,所述第二酸液供应单元具有顶面、至少一个供应通道与底面,每个供应通道分别连通所述顶面与所述底面,所述至少一个供应通道的第二出液端沿着所述晶圆的径向分布于所述底面上,其中每个所述第二出液端与所述上表面分别具有第二距离,所述第二酸液供应单元朝所述上表面至少供应第二酸液,且所述第二酸液供应单元不设置在所述第一酸液供应单元的移动路径上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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