[实用新型]一种内置缓冲层的熔断器有效
| 申请号： | 201621004805.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN205920946U | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 林丹博;杨永林;徐恩慧;李向明;汪立无;陈锡庆 | 申请（专利权）人： | AEM科技（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/00 | 分类号： | H01H85/00;H01H85/06;H01H85/38 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215027 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种内置缓冲层的熔断器，它包括绝缘基体、形成在所述绝缘基体内的至少一个熔断体以及形成在所述绝缘基体两端部且与所述熔断体相连接的端电极，它还包括形成在所述绝缘基体内且位于所述熔断体四周的至少一个灭弧层以及形成在所述灭弧层周面或/和所述熔断体周面的至少一个缓冲层，所述缓冲层为容置空间或者具有多孔结构。克服了熔断体在与缓冲层在排胶烧结过程中收缩不匹配或互相扩散，避免导致熔断体发生变形、弯曲、缺陷等现象，确保了熔断体的阻值分布集中，熔断体熔断线性度好，不会出现熔断非线性现象，同时还可以确保线路工作正常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内置 缓冲 熔断器 | ||
【主权项】：
一种内置缓冲层的熔断器，它包括绝缘基体、形成在所述绝缘基体内的至少一个熔断体以及形成在所述绝缘基体两端部且与所述熔断体相连接的端电极，其特征在于：它还包括形成在所述绝缘基体内且位于所述熔断体四周的至少一个灭弧层以及形成在所述灭弧层周面或/和所述熔断体周面的至少一个缓冲层。
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