[实用新型]一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620872249.6 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN205900554U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外延层半导体类型不同的反型区，在多晶硅（1）、反型区以及外延层的表面同时形成肖特基界面（3）。在本具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片中，通过在沟槽之间设置反型区，在外延层的表面形成PN结，从而提高了抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 正向 浪涌 能力 沟槽 式肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于：在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外延层半导体类型不同的反型区，在多晶硅（1）、反型区以及外延层的表面同时形成肖特基界面（3）。
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