[实用新型]一种对讲通信电路

摘要

本实用新型公开了一种对讲通信电路，包括依次连接的天线、带通滤波电路、高频放大器、混频器、中频放大器、功率放大器、扬声器，以及和混频器连接的本振信号发生器，其中带通滤波电路由二阶低通开关电容滤波电路和二阶高通开关电容滤波电路串联而成。本实用新型采用带通开关电容滤波器，利用MOS器件在速度、集成度、相对精度控制和微功耗等方面的独特优势，抑制二次及多次谐波，获得精确的大时间常数，精确获取需接收信号，电路工作稳定可靠，结构紧凑。

主权项

一种对讲通信电路，包括依次连接的天线、带通滤波电路、高频放大器、混频器、中频放大器、功率放大器、扬声器，以及和混频器连接的本振信号发生器，其特征为，带通滤波电路由二阶低通开关电容滤波电路和二阶高通开关电容滤波电路串联而成，典型的RC二阶有源低通滤波电路和二阶有源高通滤波电路中，用一个接地电容和两个用作开关的漏源两极可互换的增强型MOSFET代替一个电阻，开关电容滤波电路在每个时钟周期对输入信号取样一次；所述带通滤波电路包括依次连接的用作开关的漏源两极可互换的增强型MOSFET T1、T2、T3、T4，第一同相比例放大电路LM1，电容C5f、C6f、第二同相比例放大电路LM2，还包括接地电容C1f、C2f、C3f、C7f、C8f，用作开关的漏源两极可互换的增强型MOSFET T5、T6、T7、T8；所述接地电容C1f的非接地端接于增强型MOSFET T1与T2之间，所述接地电容C2f的非接地端接于增强型MOSFET T3与T4之间，所述接地电容C3f的非接地端接于增强型MOSFET T4与第一同相比例放大电路LM1的同相输入端之间，所述接地电容C7f的非接地端接于增强型MOSFET T7与T8之间，所述接地电容C8f的非接地端接于增强型MOSFET T5与T6之间；所述增强型MOSFET T1的输入端与天线连接，所述增强型MOSFET T2的输出端与第一同相比例放大电路LM1的输出端之间接有电容C4f，所述增强型MOSFET T4的输出端与第一同相比例放大电路LM1的同相输入端连接；所述增强型MOSFET T5、T6依次连接于电容C5f与第二同相比例放大电路LM2的输出端之间，所述增强型MOSFET T7、T8依次连接于电容C6f与地之间；所述第二同相比例放大电路LM2的输出端与高频放大器连接。