[实用新型]压力传感器有效
| 申请号： | 201620746831.8 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN205861257U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种压力传感器，涉及测量压力的装置技术领域。所述压力传感器包括GaN层，所述GaN层的上表面设有势垒层，所述势垒层以外的漏源区域分别设有漏电极和源电极，所述势垒层的上表面设有介质层，部分所述介质层的上表面设有压电材料层。所述传感器通过采用GaN作为衬底，不需要进行衬底腔体刻蚀，以及后续的晶圆键合工艺，可以大大简化加工工艺，降低成本，并可以通过选取不同压电特性的压电材料作为栅电极，制作不同灵敏度、不同测量量程的传感器器件，扩大其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于：包括GaN层（101），所述GaN层（101）的上表面设有势垒层（100），所述势垒层（100）以外的漏源区域分别设有漏电极（104）和源电极（107），所述势垒层（100）的上表面设有介质层（105），部分所述介质层（105）的上表面设有压电材料层（106）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于，未经许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620746831.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
