[实用新型]一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器有效
| 申请号： | 201620680937.2 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205750173U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;姜城 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区开发*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器，包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极。本实用新型生产难度低、成品率高，并且显著降低了偏振控制器的器形，使多功能光电子器件的集成更容易实现，能够使器件获得更多的非线性效应，制造出的偏振控制器机械性能稳定、耐高温、抗腐蚀，具有较大的折射率和介电常数,在加载电压的同时，其压电效应较小，响应速度可以达到ns级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 铌酸锂 薄膜 偏振 控制器 | ||
【主权项】：
一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器，其特征在于：包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅中缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极，所述基底与所述下层金电极之间安装有所述二氧化硅下缓冲层，所述二氧化硅中缓冲层安装在所述下层金电极与所述铌酸锂薄膜之间，所述钛扩散铌酸锂条波导安装在所述二氧化硅中缓冲层上表面中央且其由所述铌酸锂薄膜覆盖，所述二氧化硅上缓冲层安装在所述铌酸锂薄膜上，所述上层金电极安装在所述二氧化硅上缓冲层上。
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