[实用新型]一种偏振无关超辐射发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620680313.0 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205881934U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 程殿军,张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种偏振无关超辐射发光二极管芯片，包括衬底，在所述衬底上设置有脊波导、BH掩埋结构、第二覆盖层、欧姆接触层、设置在所述欧姆接触层上的P电极以及设置在所述衬底背面的N电极；其中，所述脊波导纵向包括有源层，所述有源层为量子阱和量子垒构成的类体材料，所述量子阱为张应变量；所述脊波导横向包括：模斑变换区、增益区及弯曲波导区，所述模斑变换区为渐变锥形波导构成的吸收区，光从所述模斑变换区输出。本实用新型提供的偏振无关超辐射发光二极管可以很好地实现芯片输出光功率，TE、TM模式偏振相关性、光谱纹波等指标，同时因为扩大了芯片的近场光斑，实现了芯片输出光斑的圆对称性提高，提高了与光纤的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 无关 辐射 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种偏振无关超辐射发光二极管芯片，包括衬底，其特征在于，在所述衬底上设置有脊波导、BH掩埋结构、第二p型覆盖层、欧姆接触层、设置在所述欧姆接触层上的P电极以及设置在所述衬底背面的N电极；所述脊波导纵向包括：N型InP缓冲层、InGaAsP下波导层、有源层、InGaAsP上波导层、第一p型覆盖层；所述脊波导横向包括：模斑变换区、增益区及弯曲波导区，所述模斑变换区为渐变锥形波导构成的吸收区，光从所述模斑变换区输出；所述有源层为量子阱和量子垒构成的类体材料，所述量子阱为张应变量。
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