[实用新型]基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路

摘要

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路，包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片。由于MOSFET开关器件使用GAN及使用交错无桥架构，使整个电路无论效率，功率密度，以及输出纹波都得到了明显的改善。

主权项

基于GAN的交错图腾柱式无桥PFC电路，其特征在于：包括EMI抑制单元、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一MOSFET开关器件Q1、第二MOSFET开关器件Q2、第三MOSFET开关器件Q3、第四MOSFET开关器件Q4、第一MOS管Q5、第二MOS管Q6、输出电容C1和DSP控制芯片，所述的EMI抑制单元和交流输入电源连接，第一PFC电感L1的一端及第二PFC电感L2的一端均与EMI抑制单元的输出端相连接，第一PFC电感L1的另一端与第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接，第一MOSFET开关器件Q1的漏极与第三MOSFET开关器件Q3的漏极相连接，第二MOSFET开关器件Q2的漏极和第一MOSFET开关器件Q1的源极相连接，第三MOSFET开关器件Q3的源极和第二PFC电感L2的另一端相连接，第四MOSFET开关器件Q4的漏极和第三MOSFET开关器件Q3的源极相连接，第一MOS管Q5的漏极连接三MOSFET开关器件Q3的漏极，第一MOS管Q5的源极连接第二MOS管Q6的漏极，第一MOS管Q5的漏极连接输出电容C1的正极，第二MOS管Q6的源极连接输出电容C1的负极；DSP控制芯片分别与第一MOSFET开关器件Q1的栅极、第二MOSFET开关器件Q2的栅极、第三MOSFET开关器件Q3的栅极、第四MOSFET开关器件Q4的栅极、第一MOS管Q5的栅极、第二MOS管Q6的栅极相连接。