[实用新型]可防止硅蒸汽溢出的液相法生长碳化硅晶体的装置有效
| 申请号： | 201620641931.4 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN205907395U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 朱灿;李加林;李长进;高超;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻,孙亚琳 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可防止硅蒸汽溢出的液相法生长碳化硅晶体的装置。其包括石墨坩埚、与上下运动机构连接的籽晶轴，所述石墨坩埚外设有保温层，所述石墨坩埚包括坩埚体、盖在坩埚体上端的坩埚盖，所述籽晶轴包括头部贴有籽晶的石墨轴，其特征在于在所述坩埚体上端的内侧壁上对应于坩埚体与坩埚盖之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽，所述环槽开口向上，所述环槽的内侧边与坩埚体的内侧壁封闭连接，坩埚体与坩埚盖之间的缝隙位于所述环槽内；在籽晶上部的石墨轴上同轴设置有一石墨遮罩，所述石墨遮罩为圆形平板或为开口向下的伞形结构或为一端封闭另一端敞口向下的筒形结构，所述石墨遮罩将贴有籽晶的一端的石墨轴罩设在其下部。 | ||
| 搜索关键词： | 可防止 蒸汽 溢出 液相法 生长 碳化硅 晶体 装置 | ||
【主权项】：
一种可防止硅蒸汽溢出的液相法生长碳化硅晶体的装置，包括石墨坩埚、与上下运动机构连接的籽晶轴，所述石墨坩埚外设有保温层，所述石墨坩埚包括坩埚体(3)、盖在坩埚体(3)上端的坩埚盖(1)，所述籽晶轴包括头部贴有籽晶(5)的石墨轴(7)，其特征在于：在所述坩埚体(3)上端的内侧壁上对应于坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙处设有一沿坩埚体内侧壁周向设置的环槽(2)，所述环槽(2)开口向上，所述环槽(2)的内侧边与坩埚体(3)的内侧壁封闭连接，坩埚体(3)与坩埚盖(1)之间的缝隙位于所述环槽(2)内；在籽晶上部的石墨轴(7)上同轴设置有一石墨遮罩(6)，所述石墨遮罩(6)为圆形平板或为开口向下的伞形结构或为一端封闭另一端敞口向下的筒形结构，所述石墨遮罩(6)将贴有籽晶的一端的石墨轴罩设在其下部。
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