[实用新型]一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置有效
申请号: | 201620579824.3 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN205741289U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 张新峰 | 申请(专利权)人: | 张新峰 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B9/00 |
代理公司: | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人: | 郑志强 |
地址: | 226541 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,包括釜体,釜体内设有坩埚,坩埚中装设有生长溶液,生长溶液的表面处通过漂浮体固定有籽晶,漂浮体通过拉绳限制在中心区域,坩埚的下端设有转盘,转盘通过转轴连接有位于釜体外的转动电机。本实用新型中籽晶通过漂浮体漂浮于生长溶液,转动电机通过转轴驱动转盘旋转,坩埚也随之旋转,通过这种方式加快N在氮气氛围与生长溶液界面处溶解,改善生长溶液中N浓度分布均衡性,利于结晶,同时漂浮体在拉绳限制作用下始终处于生长溶液表面处的中心区域,进一步保障结晶效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 籽晶 漂浮 生长 溶液 gan 晶体生长 装置 | ||
【主权项】:
一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,包括釜体(1),所述釜体(1)内设有坩埚(2),所述坩埚(2)中装设有生长溶液(3),所述生长溶液(3)的表面处通过漂浮体(4)固定有籽晶(5),其特征在于:所述漂浮体(4)通过至少一个拉绳(6)限制在生长溶液(3)表面处的中心区域,所述坩埚(2)的下端设有转盘(7),所述转盘(7)通过转轴(8)连接有位于釜体(1)外的转动电机(9)。
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