[实用新型]一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 201620579824.3 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN205741289U 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 张新峰 申请(专利权)人: 张新峰
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B9/00
代理公司: 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 郑志强
地址: 226541 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,包括釜体,釜体内设有坩埚,坩埚中装设有生长溶液,生长溶液的表面处通过漂浮体固定有籽晶,漂浮体通过拉绳限制在中心区域,坩埚的下端设有转盘,转盘通过转轴连接有位于釜体外的转动电机。本实用新型中籽晶通过漂浮体漂浮于生长溶液,转动电机通过转轴驱动转盘旋转,坩埚也随之旋转,通过这种方式加快N在氮气氛围与生长溶液界面处溶解,改善生长溶液中N浓度分布均衡性,利于结晶,同时漂浮体在拉绳限制作用下始终处于生长溶液表面处的中心区域,进一步保障结晶效果。
搜索关键词: 一种 籽晶 漂浮 生长 溶液 gan 晶体生长 装置
【主权项】:
一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,包括釜体(1),所述釜体(1)内设有坩埚(2),所述坩埚(2)中装设有生长溶液(3),所述生长溶液(3)的表面处通过漂浮体(4)固定有籽晶(5),其特征在于:所述漂浮体(4)通过至少一个拉绳(6)限制在生长溶液(3)表面处的中心区域,所述坩埚(2)的下端设有转盘(7),所述转盘(7)通过转轴(8)连接有位于釜体(1)外的转动电机(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张新峰,未经张新峰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620579824.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top