[实用新型]一种侧壁粗化高亮度发光二极管有效
| 申请号： | 201620574883.1 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN205790048U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;潘彬 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张静;张文 |
| 地址： | 330038 江西省南昌市红谷滩新*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种侧壁粗化高亮度发光二极管，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设置第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极。粗糙化表面经过钝化膜SiN的包覆，不仅可以缩小发光层同封装材料间的折射率差，有助于光的取出，而且可以保护发光区减少漏电异常，提升产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧壁 粗化高 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种侧壁粗化高亮度发光二极管，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极，其特征在于：P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分，在P‑GaP正面粗化层上设有第一电极，P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构,P‑GaP粗化层的总厚度在7000～10000nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌凯迅光电有限公司，未经南昌凯迅光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620574883.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种垂直结构AlGaInP基发光二极管
- 下一篇：垂直型发光二极管芯片
