[实用新型]一种直线形微气体传感器有效
| 申请号： | 201620483569.2 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN205898724U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘丽;何越;李海英;官修龙;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 王立文 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种直线形微气体传感器，衬底Si片的正面生长有前SiO2层，Si片的背面生长有后SiO2层，在前SiO2层的上表面通过磁控溅射、光刻以及腐蚀技术制作出电极形状，两个Pt直线加热电阻和其两端的管脚Ⅰ、管脚Ⅱ、管脚Ⅲ和管脚Ⅳ构成了加热电极，Pt直线电极和管脚Ⅴ为信号测量电极。传感器加热电极设计为上下两直线条状，使得传感器中心区域的磁感应强度因相互抵消而变小，有效地削弱了磁场对测量信号的干扰，且降低了功耗，提高了传感器的整体性能，电极结构也更为简单，简化了制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线形 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种直线形微气体传感器，其特征在于，衬底Si片(10)的正面有前SiO2层(9)，Si片(10)的背面有后SiO2层(11)，在前SiO2层(9)的表面上通过现有的磁控溅射、光刻、腐蚀工艺制作Pt直线加热电阻Ⅱ(5),在前SiO2层(9)的表面下侧制作Pt直线加热电阻Ⅰ(2)，在Pt直线加热电阻Ⅱ(5)的两端分别设有管脚Ⅲ(4)和管脚Ⅳ(6)，在Pt直线加热电阻Ⅰ(2)的两端分别设有管脚Ⅰ(1)和管脚Ⅱ(3)，在前SiO2层(9)的表面中下侧制作Pt直线电极(8)，在Pt直线电极(8)的一端设有管脚Ⅴ(7)构成。
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