[实用新型]一种新型铁环有效
申请号: | 201620333156.6 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN205508800U | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 邹贤军;廖颖钰 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 长沙七合源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人: | 欧颖;吴婷 |
地址: | 423038 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种新型铁环,铁环与粘片机型腔贴合的一面呈中心对称分布有数个凹陷于铁环表面的凹坑,各凹坑对准粘片机型腔底面裸露的各真空吸嘴,且凹坑的径向轮廓大于真空吸嘴的径向外轮廓,使得真空吸嘴在吸附过程中可沿轴向方向伸入凹坑内。本实用新型凹陷于铁环表面的数个凹坑,凹坑延伸至铁环内圈及外圈边缘处形成缺口,方便粘片机吸稳铁环,凹坑为呈中心对称分布的数个,对铁环的吸力更均衡,铁环外圈设有平直定位边对铁环进行径向方向的定位,配合真空吸嘴吸住凹坑位置处对铁环进行轴向方向的定位,使铁环更平稳,有效的减少粘片异常。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 铁环 | ||
【主权项】:
一种新型铁环,其特征在于,铁环(1)与粘片机型腔贴合的一面呈中心对称分布有数个凹陷于铁环表面的凹坑(2),各凹坑对准粘片机型腔(6)底面裸露的各真空吸嘴(5),且凹坑的径向轮廓大于真空吸嘴的径向外轮廓,使得真空吸嘴在吸附过程中可沿轴向方向伸入凹坑内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司,未经湘能华磊光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620333156.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体芯片封装结构
- 下一篇:野外驱兽救护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造