[实用新型]一种大面积电极LED阵列有效
申请号: | 201620300456.4 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN205452353U | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 刘召军;彭灯;张珂;莫炜静 | 申请(专利权)人: | 中山大学;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提出一种大面积电极LED阵列,包括大面积单电极LED阵列和大面积双电极LED阵列;由于大面积双电极LED阵列的电极分布在LED器件的同一面,所以将双电极LED晶圆阵列大面积倒装至相应的设计衬底上,实现每个LED器件单元与衬底上金属焊盘和导线连接,并将外部电路的扫描驱动口连接至衬底上的金属线上,实现LED阵列扫描驱动显示。对于单电极LED阵列,由于其P电极和N电极分布在LED器件的上方和下方,LED阵列中每个LED像素单元的N电极与相应设计的衬底连接,再将相应设计的导电薄膜与LED阵列每个像素单元的P电极连接,并将外部电路的扫描驱动口分别连接至衬底和导电薄膜的金属线上实现LED阵列的扫描驱动显示。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 电极 led 阵列 | ||
【主权项】:
一种大面积电极LED阵列,其特征在于,包括大面积单电极LED阵列和大面积双电极LED阵列;大面积单电极LED阵列由下到上依次压合有衬底、扩晶后的LED晶圆阵列和导电薄膜,其中衬底上表面设有的焊盘区域,焊盘区域刻蚀有若干条等间隔的列金属线,导电薄膜下表面刻蚀有与列金属线数量相同的等间隔行金属线,行金属线与列金属线垂直;各金属线上开设有若干个等间隔的开窗区域,其开窗区域点有用于压合连接的银胶或喷有焊锡;相邻列金属线的间隔与相邻行金属线的间隔相等;大面积双电极LED阵列由下到上依次压合有衬底、扩晶后的LED晶圆阵列,其中衬底上表面设有焊盘区域,焊盘区域刻蚀有垂直的行金属线和列金属线,行金属线和列金属线交叉部分由隔离薄膜隔离,且行金属线与列金属线的数量相等,相邻列金属线的间隔与相邻行金属线的间隔相等,各金属线上开设有若干个等间隔的开窗区域,其开窗区域点有用于压合连接的银胶或喷有焊锡。
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