[实用新型]一种利用整流死区为低压供电的电路有效

专利信息
申请号: 201620277513.1 申请日: 2016-04-06
公开(公告)号: CN205566131U 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 曹磊 申请(专利权)人: 上海联矽智能科技有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200120 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种利用整流死区为低压供电的电路,包括整流桥Q、熔断器FU、电阻R1、电容C和MOS管Q1,所述整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3分别连接220V交流电两端,整流桥Q引脚2分别连接二极管D1正极、MOS管Q1的D极和电阻R1,电阻R1另一端连接电阻R2,电阻R2另一端分别连接接地电阻R4和电阻R3,电阻R3连接微控制器的过零检测端,微处理器的IO口连接MOS管Q1的G极,MOS管Q1的S极连接低压系统。本实用新型利用此死区电压给低电压系统供电,大大节省了空间及成本,且有效提供产品的功率因数。
搜索关键词: 一种 利用 整流 死区 低压 供电 电路
【主权项】:
一种利用整流死区为低压供电的电路,包括整流桥Q、熔断器FU、电阻R1、电容C和MOS管Q1,其特征在于,所述整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3分别连接220V交流电两端,整流桥Q引脚2分别连接二极管D1正极、MOS管Q1的D极和电阻R1,电阻R1另一端连接电阻R2,电阻R2另一端分别连接接地电阻R4和电阻R3,电阻R3连接微控制器的过零检测端,微处理器的IO口连接MOS管Q1的G极,MOS管Q1的S极连接低压系统,所述整流桥Q引脚4分别连接电容C和输出端一端,输出端另一端分别连接电容C另一端和二极管D1负极。
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