[实用新型]一种低漏电流铁酸铋薄膜有效
申请号: | 201620211105.6 | 申请日: | 2016-03-21 |
公开(公告)号: | CN205429011U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 王华;韩冬;许积文;杨玲;丘伟 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L43/10 | 分类号: | H01L43/10 |
代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人: | 滕杰锋 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜,所述薄膜包括衬底,以及衬底上的Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层,Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层,并且Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配,形成Bi4‑xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜,其中X的取值范围是0.4‑0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4‑xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流,提高铁电性能,在高电场下,该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级,铁电性能也得到了很大的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 漏电 流铁酸铋 薄膜 | ||
【主权项】:
一种低漏电流铁酸铋薄膜,包括衬底,其特征在于:衬底上是Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层,Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层,并且Bi4‑xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配,形成Bi4‑xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜,Bi4‑xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜上制备了上电极,其中X的取值范围是0.4‑0.85。
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