[实用新型]一种发光二极管外延片测试系统有效

专利信息
申请号: 201620202728.7 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN205449132U 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 潘伟;蔡园园;杨碧兰;周启伦;蔡如腾 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: G01D21/00 分类号: G01D21/00;G01R31/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发光二极管外延片测试系统,用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测,检测所述晶片的外延生长状况,所述测试系统包括收光装置、测试装置和基板。所述收光装置包括支架、收光组件和光纤,所述收光组件和光纤位于晶片发光面上方。
搜索关键词: 一种 发光二极管 外延 测试 系统
【主权项】:
一种发光二极管外延片测试系统,用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测,检测所述晶片的外延生长状况,定义晶片出光面为上表面,所述测试系统包括:基板,用于承载晶片;收光装置,至少由支架、收光组件和光纤组成,所述收光组件和光纤位于所述晶片上表面上方,固定在所述支架上,所述收光组件具备测量晶片发光亮度的功能,所述光纤具备测量晶片发光波长的功能;测试装置,至少由电源、电笔和处理器组成,所述电源为所述电笔供电,所述电笔与所述处理器连接,所述处理器具备记录、储存和传输信息的功能,所述电笔与所述晶片电性接触,处理器、电笔、晶片构成电流回路,所述电流回路向所述处理器传递电性信息;所述收光组件和所述光纤分别与所述处理器连接,向所述处理器传递光学信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司,未经厦门市三安光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620202728.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top