[实用新型]一种带阻抗调节的耗尽管基准电路有效
| 申请号： | 201620159302.8 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN205405320U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝;周尧 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种带阻抗调节的耗尽管基准电路，至少包括：漏端连接电源电压的耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的源端与阻抗的第一端相连，所述耗尽型NMOS管的栅端与所述阻抗的第二端相连；源端接地的增强型NMOS管，所述增强型NMOS管的栅端与所述增强型NMOS管的漏端相连后与所述阻抗的第二端相连，所述增强型NMOS管的漏端为输出端。本实用新型的带阻抗调节的耗尽管基准电路输出的基准电压与温度无关，与电源电压无关，同时占用版图面积小、工艺相关性小、精度易控制，适于实际生产和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 调节 尽管 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种带阻抗调节的耗尽管基准电路，其特征在于，所述带阻抗调节的耗尽管基准电路至少包括：漏端连接电源电压的耗尽型NMOS管，所述耗尽型NMOS管的源端与阻抗的第一端相连，所述耗尽型NMOS管的栅端与所述阻抗的第二端相连；源端接地的增强型NMOS管，所述增强型NMOS管的栅端与所述增强型NMOS管的漏端相连后与所述阻抗的第二端相连，所述增强型NMOS管的漏端为输出端。
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