[实用新型]一种光电探测器、暗电流抑制电路及可见光传感器

摘要

本实用新型适用于集成电路领域，提供了一种光电探测器、暗电流抑制电路及可见光传感器，该光电探测器包括：在硅片上形成的第一光电二极管和第二光电二极管；第一光电二极管的上表面覆盖一仅透过人眼能感知的可见光的IR滤波器；第二光电二极管的上表面覆盖一滤除可见光和近红外光的金属膜。本实用新型在PN结结构中通过注入增加一个NG注入区，降低了暗电流，提高了光电转换效率，并在两光电二极管的上表面分别用金属膜和IR滤波器覆盖，以隔离近红外光，还将该抑制暗电流的光电探测器和高增益放大器集成在同一硅基上，从而得到一个高灵敏度、高线性度的可见光传感器。

主权项

一种光电探测器，基于硅片制成，其特征在于，所述光电探测器包括：在所述硅片上形成的第一光电二极管和第二光电二极管；所述第一光电二极管的上表面覆盖一仅透过人眼能感知的可见光的IR滤波器；所述第二光电二极管的上表面覆盖一滤除可见光和近红外光的金属膜。