[实用新型]一种降低暗电流的PN结结构及光电二极管、光电三极管

摘要

本实用新型适用于集成电路领域，提供了一种降低暗电流的PN结结构及光电二极管、光电三极管，该PN结结构包括：衬底，在衬底上形成的阱，在阱中形成的NG注入区，以及在NG注入区形成的掺杂区；阱区和掺杂区分别为PN结结构的两极引出端。本实用新型在PN结结构中通过注入增加一个NG注入区，由于NG注入的浓度较低，因此NG和PWELL形成的PN结浓度较浅，从而降低了暗电流，同时提高了光电转换效率。

主权项

一种降低暗电流的PN结结构，其特征在于，所述结构包括：衬底，在所述衬底上形成的阱，在所述阱中形成的NG注入区，以及在所述NG注入区形成的掺杂区；所述阱区和所述掺杂区分别为所述PN结结构的两极引出端。