[发明专利]硫化氢气体传感器及其制作方法和硫化氢浓度的检测方法有效
申请号: | 201611260981.9 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106596452B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 冯文林;邓大申;秦祥;马诗章;彭志清 | 申请(专利权)人: | 重庆理工大学 |
主分类号: | G01N21/3504 | 分类号: | G01N21/3504 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海华;赵英 |
地址: | 400054 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种硫化氢气体传感器,包括薄芯光纤和熔接在其两端的单模光纤,单模光纤的纤芯层直径大于薄芯光纤的纤芯层直径且小于薄芯光纤的包层直径,薄芯光纤两端的纤芯层端面中心分别与相邻单模光纤一端的纤芯层端面中心相对应,薄芯光纤的包层表面上覆盖有一层二硫化钨膜层,另外还公开了硫化氢气体传感器的制作方法。本发明中的硫化氢气体传感器结构简单,工作稳定,检测效果好,响应时间快,精度和可靠性高,还具有体积小、重量轻的优点,另外传感器制作容易,成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 硫化氢 气体 传感器 及其 制作方法 浓度 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硫化氢气体传感器的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:1)获取一根薄芯光纤和两根单模光纤,其中单模光纤的纤芯层直径大于薄芯光纤的纤芯层直径且小于薄芯光纤的包层直径,然后分别将两根单模光纤熔接在薄芯光纤的两端,熔接时,单模光纤的纤芯层端面中心与薄芯光纤的纤芯层端面中心相对应;2)将二硫化钨纳米粉末按照(0.2~0.4):(30~40)的质量比加入到0.784g/ml的异丙醇溶液中混合制成二硫化钨分散液;3)将步骤1)中熔接后的薄芯光纤部段放入到二硫化钨分散液中浸涂0.4~1.2h,然后将其置于150~350℃的氮气中进行煅烧,煅烧时间为3~6h,随炉冷却至室温,使薄芯光纤部段包层外表面形成二硫化钨膜层。
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