[发明专利]SOI基栅控横向SAM结构蓝紫光单光子探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种SOI基栅控横向SAM结构蓝紫光单光子探测器及其制备方法，蓝紫光单光子探测器包括表面带有P^‑型硅薄膜的SOI基片，P^‑型硅薄膜的一侧设有P⁺区、另一侧设有相邻布置的P区和N⁺区，P⁺区的表面设有电极K，P区的表面设有栅氧化层，栅氧化层的表面设有栅电极G，N⁺区的表面设有电极A。制备方法步骤包括在SOI基片的表面生成一定厚度的P^‑型硅薄膜，采用离子注入掺杂方式形成P⁺区、P区和N⁺区；在P⁺区的表面镀铝生成电极K，在N⁺区的表面镀铝生成电极A；在P区的表面生成栅氧化层，在栅氧化层的表面镀铝生成栅电极G。本发明不仅可以在反偏电压不变的情况下实现雪崩的淬灭，而且还能加速淬火后的恢复，从而缩短死时间，输入阻抗大、便于集成。

主权项

1.一种SOI基栅控横向SAM结构蓝紫光单光子探测器，其特征在于：包括表面带有P^-型硅薄膜（2）的SOI基片（1），所述P^-型硅薄膜（2）的厚度为100nm～800nm，所述P^-型硅薄膜（2）的一侧设有P⁺区（3）、另一侧设有相邻布置的P区（4）和N⁺区（5），所述P⁺区（3）的表面设有电极K，所述P区（4）的表面设有栅氧化层（6），所述栅氧化层（6）的表面设有栅电极G，所述N⁺区（5）的表面设有电极A。/n