[发明专利]基于石墨烯薄膜结构太赫兹波耦合器在审
申请号: | 201611234619.4 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106785292A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 章乐;李九生 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于石墨烯薄膜结构太赫兹波耦合器。它包括基基底层、二氧化硅层、曲边梯形石墨烯薄膜、矩形石墨烯薄膜、锯齿形石墨烯薄膜、上弧形石墨烯薄膜、下弧形石墨烯薄膜、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端;在无外加偏压时,太赫兹信号从信号输入端输入,从第一信号输出端输出;在有外加偏压时,太赫兹信号从信号输入端输入,从第二信号输出端输出。通过调节偏置直流电源电压,来改变太赫兹波的输出路径,实现路由功能。本发明具有结构简单紧凑,尺寸小,设计原理简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 石墨 薄膜 结构 赫兹 耦合器 | ||
【主权项】:
一种基于石墨烯薄膜结构太赫兹波耦合器,其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、曲边梯形石墨烯薄膜(3)、矩形石墨烯薄膜(4)、锯齿形石墨烯薄膜(5)、上弧形石墨烯薄膜(6)、下弧形石墨烯薄膜(7)、信号输入端(8)、第一信号输出端(9)、第二信号输出端(10);基底层(1)的上层为二氧化硅层(2),二氧化硅层(2)的上层铺有曲边梯形石墨烯薄膜(3)、矩形石墨烯薄膜(4)、锯齿形石墨烯薄膜(5)、上弧形石墨烯薄膜(6)、下弧形石墨烯薄膜(7),曲边梯形石墨烯薄膜(3)的左端与矩形石墨烯薄膜(4)和锯齿形石墨烯薄膜(5)的右端相连,矩形石墨烯薄膜(4)的左端与上弧形石墨烯薄膜(6)的右端相连,锯齿形石墨烯薄膜(5)的左端与下弧形石墨烯薄膜(7)相连,上弧形石墨烯薄膜(6)的左端设有信号输入端(8),下弧形石墨烯薄膜(7)的左端设有第二信号输出端(10),曲边梯形石墨烯薄膜(3)的右端设有第一信号输出端(9);当无外加电压时,太赫兹信号从信号输入端(8)输入,从第一信号输出端(9)输出;当基底层(1)与石墨烯薄膜之间加载偏置直流电压时,太赫兹信号从信号输入端(8)输入,从第二信号输出端(10)输出。
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