[发明专利]一种通过高能电子辐照促进等规聚1-丁烯晶型II-I转变的方法在审
| 申请号： | 201611227314.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108239294A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J3/28 | 分类号： | C08J3/28;C08L23/20 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种通过高能电子辐照促进等规聚1‑丁烯晶型II‑I转变的方法，对I晶型的等规聚1‑丁烯进行高能电子辐照，采用高能电子辐射即可促进均聚iP‑1‑B中晶型II‑I转变。本发明适用于均聚iP‑1‑B，采用较为简单的工艺过程，无需共聚或施加力场，可大大缩短此转变时间，在较快时间内达到较高的转化率，且无需共聚。 | ||
| 搜索关键词： | 高能电子辐照 聚1 -丁烯 等规 晶型II 共聚 丁烯 晶型 均聚 高能电子辐射 工艺过程 施加力 | ||
【主权项】：
1.一种通过高能电子辐照促进等规聚1‑丁烯晶型II‑I转变的方法，其特征在于，对I晶型的等规聚1‑丁烯进行高能电子辐照，等规聚1‑丁烯为1‑丁烯的均聚物。
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