[发明专利]一种半导体基片的处理方法及装置在审
| 申请号： | 201611225758.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242414A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈波;李楠;夏洋;饶晓雯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体基片的处理方法，包括如下步骤：将待处理基片放置于处理腔中的承片台上，所述承片台带动所述基片旋转；向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽，在所述基片表面形成均匀的液体薄膜；向所述处理腔中通入臭氧，所述臭氧与所述基片表面的污染物反应，使得所述污染物从所述基片表面剥离；向所述基片表面喷射去离子水；将所述基片高速旋转进行干燥。本发明还提供一种半导体基片的处理装置。本发明可以在室温下去除基片表面的污染物，在保证污染物去除效率的同时，避免对基片表面金属的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 基片表面 半导体基片 氨水 混合溶液 处理腔 臭氧 喷射 污染物 半导体制造技术 污染物去除效率 污染物反应 处理装置 去离子水 液体薄膜 承片台 承片 蒸汽 剥离 腐蚀 金属 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基片的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将待处理基片放置于处理腔中的承片台上，所述承片台带动所述基片旋转；向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽，在所述基片表面形成均匀的液体薄膜；向所述处理腔中通入臭氧，所述臭氧与所述基片表面的污染物反应，使得所述污染物从所述基片表面剥离；向所述基片表面喷射去离子水；将所述基片高速旋转进行干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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