[发明专利]一种平板外延炉温场的调节方法

摘要

本发明公开了一种改进的8寸平板外延炉温场的调节方法，用离子注入法注入N型杂质离子制备成注入片，该注入片中的N型杂质离子在高温下被激活，从而表面形成P‑N结。时间一定时，N型杂质离子被激活的量是与温度成正比，通过测试不同温度下烘烤后的注入片的方块电阻，得到温度和方块电阻的线性关系，以此为基础，通过量测烘烤后的注入片片内多点的方块电阻，得到温场分布情况，指导温场调节，能够快速地得到外延炉腔体内的温场分布情况。

主权项

一种平板外延炉温场的调节方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)、对注入片在炉腔内进行烘烤，此时炉腔内具有初始温度补偿值；(2)、将烘烤好的注入片用湿法去除表面氧化层；(3)、用四探针测试注入片表面的方块电阻，以温度作为横坐标，方块电阻作为纵坐标，测试不同温度下烘烤的注入片中心点的方块电阻，进行线性拟合，线性拟合指数R2为0.9933，从而得到方块电阻和温度之间的对应关系；(4)、四探针测试得到片内多点的方块电阻分布情况；(5)、根据步骤(4)中注入片内多点的方块电阻分布情况，得到各区域相比于中心点的方块电阻差值，根据温度和方块电阻的折算关系，得到各区域相比中心点的温度偏差关系，从而得到各区域的实际温度分布；(6)、根据步骤(5)中得到的实际温度分布，在初始的温度补偿值基础上进行修正，得到一组理想温度补偿值。