[发明专利]一种光伏焊带及其制备方法有效
申请号: | 201611205504.2 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106653910B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 倪志春;蔡霞;李淳慧;陈国清;张强明;魏青竹 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;李萍 |
地址: | 215542 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种光伏焊带及其制备方法,提高焊带的抗氧化性及耐腐蚀性能。一种光伏焊带,所述光伏焊带表面的除焊点位置之外的区域上形成有SiO2薄膜层。所述光伏焊带包括:铜基;多个焊接金属部,其分别形成在所述铜基表面的对应于各焊点位置处;SiO2薄膜层,其形成在所述铜基的未被所述焊接金属部覆盖的表面上;多个所述焊接金属部和所述SiO2薄膜层完全覆盖所述铜基的表面。一种光伏焊带的制备方法,包括如下步骤:S1、将焊接金属镀于铜基表面的对应于各焊点位置处;S2、在铜基的未被焊接金属覆盖的表面上制备SiO2薄膜层。 | ||
搜索关键词: | 一种 光伏焊带 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光伏焊带的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将焊接金属镀于铜基表面的对应于各焊点位置处;S2、在铜基的未被焊接金属覆盖的表面上通过熔胶凝胶法制备SiO2薄膜层,所述的SiO2薄膜层的厚度为450~550nm;S3、对覆盖有焊接金属和SiO2薄膜层的铜基进行退火,在所述焊接金属的表面上形成纳米棒结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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