[发明专利]一种氮化铝单晶生长方法有效
| 申请号： | 201611196928.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106637411B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;曹凯;汪佳;刘理想;龚加玮;王智昊;王琦琨 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝单晶生长方法，长晶时的温度曲线和压力曲线简单可控；在氮化铝烧结体表面进行长晶，生长得到的氮化铝单晶体内部几乎无缺陷；通过采用钨材料制备坩埚，杂质引入极少；能够得到最大尺寸为厘米级的氮化铝单晶；长晶成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝单晶 生长 氮化铝烧结体 温度曲线 压力曲线 单晶体 氮化铝 厘米级 钨材料 可控 坩埚 制备 引入 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝单晶生长方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将氮化铝烧结体放入坩埚中，并将所述坩埚置于密闭的炉体中，在所述炉体中设置用于为所述坩埚加热的加热机构、用于为所述炉体抽真空的抽真空机构、用于为所述炉体通入高纯氮气的氮气输入机构、用于测量所述坩埚温度的测温机构；（2）通过所述氮气输入机构向所述炉体中通入高纯氮气至60‑90Kpa，同时通过所述加热机构在3‑5小时内将所述坩埚底部加热至1950‑2050℃；（3）通过所述加热机构的热场设计，使所述坩埚底部的温度高于所述坩埚顶部的温度；设置使得所述测温机构包括用于测量所述坩埚顶部温度的第一测量器、用于测量所述坩埚底部温度的第二测量器；（4）通过所述抽真空机构对所述炉体抽真空，使所述炉体中的气压降至30‑50Kpa，同时通过所述加热机构在0.5‑1.5小时内将所述坩埚底部加热至2050‑2200℃；（5）调节所述坩埚的上下位置，所述第二测量器的读数与所述第一测量器的读数差值为A，所述氮化铝烧结体顶部至所述坩埚顶部的距离为B，使得：A/B=1‑3℃/mm；（6）通过所述氮气输入机构向所述炉体中通入高纯氮气至40‑60Kpa，同时通过所述加热机构保持所述坩埚底部温度为2050‑2200℃，维持10‑150小时；通过物理气相传输法，所述氮化铝烧结体部分升华后在所述氮化铝烧结体表面处形成氮化铝单晶。
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