[发明专利]GSG轨道型射频电极、硅基行波电极光调制器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201611195833.3 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106646931B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 李淼峰;肖希;王磊;陈代高;杨奇;余少华 申请(专利权)人: 武汉邮电科学研究院
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 王卫东
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种GSG轨道型射频电极、硅基行波电极光调制器及制备方法,涉及高速电光芯片领域。该GSG轨道型射频电极包括GSG型平面电极,GSG型平面电极的单侧或双侧周期性地添加用于延迟电场的轨道电极,轨道电极连接到GSG型平面电极的地电极上。硅基行波电极光调制器包括GSG轨道型射频电极和传统的硅基行波电极光调制器,GSG轨道型射频电极通过电极层间的通孔与硅基行波电极光调制器的有源区连接导通。本发明能够提高电极的参数设计自由度,实现有效的信号参数匹配。
搜索关键词: gsg 轨道 射频 电极 行波 极光 调制器 制备 方法
【主权项】:
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