[发明专利]一种掩膜法制绒和刻槽填栅电极太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 201611190669.7 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106784144A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 顾生刚;胡盛华;李剑;赵辰 申请(专利权)人: 北京市合众创能光电技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/05;C30B33/10
代理公司: 常州市夏成专利事务所(普通合伙)32233 代理人: 沈毅
地址: 102200 北京市昌*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种掩膜法制绒和刻槽填栅电极太阳能电池的制备方法,包括如下步骤制作掩膜;刻蚀;扩撒制结、边缘刻蚀、PECVD镀氮化硅减反射薄膜、丝网印刷背极背场;在开槽的部位印刷填充正面电极浆料,烧结形成太阳能电池。本发明采用成熟的压印技术制作掩膜,掩膜清晰度高,容易制备,成本较低。本发明的刻槽方式采用湿法刻蚀的方式,制绒和刻槽同步进行,在一台设备内完成,缩短了制备工艺流程,降低了电池制备成本。在硅片槽内印刷填充浆料后形成的栅线电极,相较于直接印刷在硅片上的电极,有更大的高宽比,能有效降低栅线的功率损失,能大幅提高电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 法制 刻槽填栅 电极 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种掩膜法制绒和刻槽填栅电极太阳能电池的制备方法,其特征是,包括如下步骤:步骤一:在硅片表面通过旋涂或者丝网印刷的方式涂覆胶;步骤二:使用预制模板通过热固化压印或者紫外固化压印的方式,在掩膜胶上形成排列的孔并在对应电极位置形成槽;步骤三:使用混酸溶液或者碱溶液对硅片进行腐蚀,在掩膜胶上有孔的地方腐蚀硅片,形成坑状绒面,同时在胶上有槽的硅片上腐蚀形成凹槽;步骤四:使用胶的显影液去胶;步骤五:扩撒制结、边缘刻蚀、PECVD镀减反射薄膜、丝网印刷背电极和背电场;步骤六:使用丝网印刷的方法,将浆料填充进凹槽,并在其上堆积成有较大高宽比的电极栅线;步骤七:高温烧结,形成刻槽填栅电极太阳能电池。
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