[发明专利]一种用于环形天线的GaAs/Ge/GaAs异质SPiN二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201611184324.0 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783595B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 琦星智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/04 |
| 代理公司： | 33264 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙青松 |
| 地址： | 317604 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于环形天线的GaAs/Ge/GaAs异质SPiN二极管的制备方法，该制备方法包括：选取GeOI衬底；刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPIN二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能基于GaAs/Ge/GaAs异质SPIN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 环形 天线 gaas ge 异质 spin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于环形天线的GaAs/Ge/GaAs异质SPIN二极管的制备方法，其特征在于，所述环形天线包括：/n半导体基片(1)；/n介质板(2)；/n第一SPIN二极管环(3)、第二SPIN二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；/n耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上；/n所述第一SPIN二极管环(3)、所述第二SPIN二极管环(4)、所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)均采用半导体工艺制作在所述半导体基片(1)上；所述第一SPIN二极管环(3)包括第一SPIN二极管串(8)，所述第二SPIN二极管环(4)包括第二SPIN二极管串(9)，所述第一SPIN二极管串(8)和所述第二SPIN二极管串(9)中包括多个串行连接的SPIN二极管；所述第一直流偏置线(5)设置在所述第一SPIN二极管串(8)两端，所述第二直流偏置线(6)设置在所述第二SPIN二极管串(9)两端，所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)采用重掺杂多晶硅制作在半导体基片上(1)；所述半导体基片(1)与所述介质板(2)平行且具有间距；/n其中，所述SPIN二极管的制备方法包括如下步骤：/n(a)选取GeOI衬底；/n采用第一掩膜版，通过光刻工艺在所述GeOI衬底内形成隔离沟槽；其中，所述隔离沟槽的深度大于所述GeOI衬底中顶层Ge层和中间层SiO
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琦星智能科技股份有限公司，未经琦星智能科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611184324.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
