[发明专利]应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；在所述GeOI衬底表面形成第二保护层；利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述GeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基异质固态等离子二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基固态等离子二极管。

主权项

一种应用于环形天线的Ge基异质固态等离子二极管的制备方法，其特征在于，所述异质Ge基固态等离子二极管用于制作固态等离子环形天线，所述环形天线包括：半导体基片(1)；介质板(2)；第一固态等离子二极管环(3)、第二固态等离子二极管环(4)、第一直流偏置线(5)及第二直流偏置线(6)，均设置于所述半导体基片(1)上；耦合式馈源(7)，设置于所述介质板(2)上；所述第一固态等离子二极管环(3)、所述第二固态等离子二极管环(4)、所述第一直流偏置线(5)及所述第二直流偏置线(6)均采用半导体工艺制作在所述半导体基片(1)上；其中，所述环形天线的制备方法包括如下步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；(b)在所述GeOI衬底表面形成第二保护层；(c)利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；(d)利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述GeOI衬底以形成所述P型沟槽和所述N型沟槽；(e)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(f)在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基异质固态等离子二极管的制备。