[发明专利]一种掩膜板和阵列基板有效
申请号: | 201611183429.4 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106681099B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 沈柏平;潘朝煌;张沼栋 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜板和阵列基板。该掩膜板包括相连的第一区和第二区;第一区整体设置遮挡光线;第二区设置包括相对设置的第一端和第二端,第二区的第一端与第一区连接为一体;第二区开设有多条贯穿第一端和第二端的狭缝;狭缝满足W2‑W1=tanα·y;其中,W1为狭缝在第一端的宽度和,W2为狭缝在第二端的宽度和,α为待刻蚀的目标坡面的坡角,y为第一端与第二端的间距。在有机绝缘膜的生产过程中,通过符合设定规则的狭缝的宽度变化控制参与光刻的光强,而光线透过狭缝后的衍射又能使得正对狭缝之间遮挡区域的有机膜层被光照射到,在该有机膜层进行ITO光刻时,光线的入射方向上光刻胶的厚度变小,光刻时能够有效避免光刻胶的残留,改善金属残留提高良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 阵列 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,其特征在于,包括第一区和第二区;所述第一区整体设置以遮挡光线;所述第二区设置包括相对设置的第一端和第二端,所述第二区的所述第一端与所述第一区连接为一体;所述第二区开设有多条贯穿所述第一端和所述第二端的狭缝;所述狭缝满足W2‑W1=tanα·y;其中,W1为所述狭缝在所述第一端的宽度和,W2为所述狭缝在所述第二端的宽度和,α为待刻蚀的目标坡面的坡角,y为所述第一端与所述第二端的间距。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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