[发明专利]一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法有效
| 申请号： | 201611149179.2 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106676598B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 胡安民;凌惠琴;孙梦龙;龙晓萍;董梦雅;胡丰田 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D5/10 | 分类号： | C25D5/10;C25D5/12;C25D7/00;C25D7/12;C23C28/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：选择一导电基体，并对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长微纳米针锥结构层；然后对所述的微纳米针锥结构层进行清洗，去除表面氧化层，再在所述的微纳米针锥结构层上生长锡基焊料。本发明利用微纳米针锥结构层具有较大的比表面积和独特的几何形状，来释放锡镀层内部的压应力，从而减小锡镀层晶须生长的驱动力，抑制锡晶须的形成，适用于各种形式的锡层薄膜的生长，具有制备方法简单、温度低，工艺兼容性强，稳定性高，能够有效地抑制锡层晶须的生长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 结构 抑制 须生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于微纳米针锥结构抑制锡晶须生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选择一导电基体，并对所述的导电基体清洗，清洗后在所述的导电基体上生长微纳米针锥结构层；(2)然后对所述的微纳米针锥结构层进行清洗，去除表面氧化层，再在所述的微纳米针锥结构层上生长锡基焊料；所述的微纳米针锥结构层为一级结构或多级结构；所述的微纳米针锥结构层的一级结构为Cu或Ni；所述的多级结构的最后一级结构为Ni、Ag或Au。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611149179.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D打印增材制造精加工设备及其加工方法
- 下一篇：一种红古铜电镀工艺
