[发明专利]钨合金、以及使用该钨合金的钨合金部件、放电灯、发射管和磁控管有效
| 申请号： | 201611146152.8 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106756169B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 山本慎一;中野佳代;堀江宏道;佐野孝;南淑子;山口悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C27/04;C22C32/00;C22F1/18;H01J23/05 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfC换算计的含有HfC的Hf成分。 | ||
| 搜索关键词： | 钨合金 磁控管 发射管 放电灯 放射性物质 发射特性 换算 | ||
【主权项】：
1.一种用于放电灯用部件、发射管用部件或磁控管用部件的钨合金的制造方法，其特征在于，包括如下工序：将一次粒子的平均粒径为15μm以下的HfC粉末和平均粒径为0.5～10μm的钨粉末混合，制得原料粉末的工序；将所述原料粉末成形制得成形体的工序；将所述成形体烧结的烧结工序；所述原料粉末中的HfC粉末的含有量为0.1wt％～3wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝高新材料公司，未经株式会社东芝;东芝高新材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611146152.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
