[发明专利]钨合金、以及使用该钨合金的钨合金部件、放电灯、发射管和磁控管有效
| 申请号： | 201611146152.8 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106756169B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 山本慎一;中野佳代;堀江宏道;佐野孝;南淑子;山口悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C27/04;C22C32/00;C22F1/18;H01J23/05 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 冯雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钨合金 磁控管 发射管 放电灯 放射性物质 发射特性 换算 | ||
1.一种用于放电灯用部件、发射管用部件或磁控管用部件的钨合金的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
将一次粒子的平均粒径为15μm以下的HfC粉末和平均粒径为0.5～10μm的钨粉末混合，制得原料粉末的工序；
将所述原料粉末成形制得成形体的工序；
将所述成形体烧结的烧结工序；
所述原料粉末中的HfC粉末的含有量为0.1wt％～3wt％。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述原料粉末含有0.1wt％以下的选自K、Si和Al的至少一种的掺杂材料。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述HfC粉末的平均粒径和所述钨粉末的平均粒径为HfC粉末的平均粒径≤钨粉末的平均粒径。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述烧结工序的烧结条件是在温度1400℃～3000℃下进行1～20小时烧结的烧结条件。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述烧结工序包括在温度1250℃～1500℃进行预备烧结的工序，以及
在2100℃～2500℃将预烧结体进行通电烧结的工序。
6.如权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述烧结工序后，具有选自锻造工序、压延工序、拉丝工序、切割工序、研磨工序中的至少一种的加工工序。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述加工工序的加工率在30～90％的范围。
8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述加工工序后，在1300℃～2500℃的范围内进行矫正热处理。
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