[发明专利]一种独蒜兰盆花的栽培方法在审

专利信息
申请号: 201611144867.X 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106665070A 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 蔡仕珍;叶充;龙聪颖;邓辉茗;李西;潘远智;宋会兴;刘光立 申请(专利权)人: 四川农业大学
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G9/10;C05G1/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 代理人: 何凡
地址: 611130 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种独蒜兰盆花的栽培方法,包括以下步骤:(1)选择假鳞茎;(2)配置基质;(3)选择花盆;(4)上盆;(5)培养;(6)水肥管理;(7)整形调节;(8)病虫害防治。本发明可提升独蒜兰的品质,延长其花期,提高独蒜兰盆花的观赏价值。
搜索关键词: 一种 独蒜兰 盆花 栽培 方法
【主权项】:
一种独蒜兰盆花的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选择假鳞茎待独蒜兰叶片脱落后,采收假鳞茎,选取2.5g以上的假鳞茎备用;(2)配置基质调节基质pH值为6.0~7.0,并在使用前3天用消毒剂对基质进行消毒,所述基质包括腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤;其中,腐殖质、蛭石和独蒜兰原生地土壤的体积比为3~5:3~5:1~3;(3)选择花盆选择浅色、盆高和盆口直茎为8*8cm以及有多个预制排水孔的聚乙烯塑料盆作为种植容器,并用陶粒垫于聚乙烯塑料盆底部,形成1.0~1.5cm的透气层,在按照植株高度与盆高比例为3:2的原则,1~3株种植,每株间距4~5cm,且假鳞茎与盆缘的距离均为2~2.5cm;(4)上盆将假鳞茎栽种于盆土中,假鳞茎的覆土深度以刚覆盖其根系,与根颈平齐为准,并且其根系平铺于土壤中,与土壤表面之间距离为1~2cm,然后再向盆中加入基质至盆满;(5)培养将上盆后的假鳞茎置于温室中,温室温度白天15~20℃、晚上15~20℃、相对湿度90%~95%、光强3000~3300lx、白天二氧化碳浓度80~150ppm、晚上二氧化碳浓度200~300ppm,每天光照14~16h,温室于每3天后的早晨6:00~7:00时换气一次,于温室中将假鳞茎培养至花蕾期;(6)水肥管理假鳞茎上盆后,定根水一次浇足,培养期间,换气水每15天浇灌一次,直至花芽和叶芽开始生长;独蒜兰花蕾期和开花前期无需施肥,花期和新鳞茎生长期施用独蒜兰专用肥,将独蒜兰专用肥和水按质量比为1:100混合,用干陶粒吸附,再按照每盆1~2g的施肥量将干陶粒装于聚乙烯塑料盆中;所述独蒜兰专用肥包括尿素、硝酸钙、硝酸钾、硫酸镁、磷酸二氢钾和磷酸二氢钠;其中,尿素、硝酸钙、硝酸钾、硫酸镁、磷酸二氢钾和磷酸二氢钠的质量比为1.0:1.0:1.0:0.3:1.0:0.5;(7)整形调节用50mg/L的赤霉素于独蒜兰花蕾期涂抹其花茎,涂抹三次,每4天涂抹一次,直至花冠完全绽放;(8)病虫害防治病害防治:用百菌清、代森锌或多菌灵喷布植株,防治叶斑病;用70%甲基托布津可湿性粉剂或代森锰锌喷布叶片,防治炭疽病;虫害防治:保持栽培环境通风,再用黄纸板涂胶,诱杀蚜虫,虫量增多时,采用敌杀死杀灭蚜虫。
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