[发明专利]一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201611144760.5 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN108231942B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 贺军辉;田华 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张文祎;赵晓丹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器,该光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极;还原氧化石墨烯薄膜为有基底还原氧化石墨烯薄膜或无基底还原氧化石墨烯薄膜;表面电极为对称叉指电极,是在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得。本发明制备工艺非常简单,通过该方法获得的还原氧化石墨烯光电探测器具有响应率高、面积可控、可常温常压下宽光谱探测的特性。本发明发现采用非常简单的基底剥离法即可获得自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜,其蒸镀金属制得的自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的光电响应增强,且具有良好的吸光率。
搜索关键词: 一种 还原 氧化 石墨 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极;所述还原氧化石墨烯薄膜为有基底还原氧化石墨烯薄膜或无基底还原氧化石墨烯薄膜;所述表面电极为对称叉指电极,是在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得。
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