[发明专利]一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器及其制备方法和应用有效
申请号: | 201611144760.5 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108231942B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 贺军辉;田华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张文祎;赵晓丹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器,该光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极;还原氧化石墨烯薄膜为有基底还原氧化石墨烯薄膜或无基底还原氧化石墨烯薄膜;表面电极为对称叉指电极,是在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得。本发明制备工艺非常简单,通过该方法获得的还原氧化石墨烯光电探测器具有响应率高、面积可控、可常温常压下宽光谱探测的特性。本发明发现采用非常简单的基底剥离法即可获得自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜,其蒸镀金属制得的自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的光电响应增强,且具有良好的吸光率。 | ||
搜索关键词: | 一种 还原 氧化 石墨 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极;所述还原氧化石墨烯薄膜为有基底还原氧化石墨烯薄膜或无基底还原氧化石墨烯薄膜;所述表面电极为对称叉指电极,是在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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