[发明专利]一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器及其制备方法和应用有效
申请号: | 201611144760.5 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108231942B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 贺军辉;田华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张文祎;赵晓丹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 还原 氧化 石墨 薄膜 光电 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的制备方法,其特征在于,所述光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极;所述还原氧化石墨烯薄膜为无基底还原氧化石墨烯薄膜;所述表面电极为对称叉指电极;所述还原氧化石墨烯薄膜的厚度为30-110.9μm;
所述还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的制备包括以下步骤:
1)将还原氧化石墨烯加入到溶剂中,制成一定浓度的分散液;
2)将玻璃基底在纯净水中超声10-30 min,吹干;
3)采用滴涂法制备还原氧化石墨烯薄膜;
4)在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得对称叉指电极,即得到自支撑光电探测器;
步骤3)中采用滴涂法将还原氧化石墨烯均匀滴涂在超声清洗过的玻璃基底上,在15-60 ℃下干燥5-24 h后,经简单的剥离法将还原氧化石墨烯薄膜从玻璃基底上剥离,得到无基底的还原氧化石墨烯薄膜;
其中,所述还原氧化石墨烯的制备方法包括以下步骤:
首先将氧化石墨烯分散于去离子水中,超声分散10-60 min,得氧化石墨烯溶液,然后将其分散于培养皿中,在40-80℃下干燥去除水份;
然后在干燥后的所述培养皿中加入50%的水合肼溶液,15-30℃下浸泡5-24 h,经水和乙醇各洗涤3-5次,得还原氧化石墨烯。
2.根据权利要求1所述的一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的制备方法,其特征在于,所述蒸镀金属为铜。
3.根据权利要求1所述的一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述溶剂为水、乙醇或丙酮;所述分散液的浓度为1-5mg/mL;步骤3)中滴涂法制备还原氧化石墨烯薄膜时,还原氧化石墨烯薄膜面积与玻璃基底面积相等,制备得到的还原氧化石墨烯薄膜的厚度为30-110.9μm。
4.如权利要求1所述的制备方法制备得到的一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器在光电探测领域的应用,其特征在于,所述还原氧化石墨烯薄膜光电探测器可在紫外-可见-红外波段进行光电探测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所,未经中国科学院理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611144760.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的