[发明专利]一种高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611143058.7 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN108164799B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 沈长勇;段春来 申请(专利权)人: 上海凯波电缆特材股份有限公司
主分类号: C08L23/08 分类号: C08L23/08;C08K5/5425;C08K5/375;C08J3/24;H01B3/44;B29C48/92
代理公司: 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 代理人: 彭秀丽
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法。本发明的原料包括A料和B料,A料和B料的重量比为95:(4.8‑5.2);A料各组分及组分重量配比为:LLDPE树脂1为65‑75份;LLDPE树脂2为10‑20份;加工助剂为3‑4份;硅烷为1.9‑2.1份;引发剂为0.09‑0.10份;抗氧剂为0.19‑0.21份;B料各组分及各组分重量配比为:LLDPE树脂1为95份;催化剂为1.9‑2.1份;抗氧剂为3‑5份。本发明加工不采用传统的热切造粒,运用拉条过水槽切粒,清理方便,混合粒子与油类混合时使用锅壁加温工艺,使油类充分吸收并分散均匀,干燥时先热风干燥再冷风干燥,硅烷交联聚乙烯绝缘料的耐温等级达到130℃。
搜索关键词: 一种 耐温 等级 硅烷 交联 聚乙烯 绝缘 料及 制备 方法
【主权项】:
1.一种高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于,所述绝缘料的原料包括A料和B料,A料和B料的重量比为95:(4.8‑5.2);

其中,所述A料各组分及其重量比为:

 

所述B料各组分及各组分重量配比为:

LLDPE树脂1     95份;

催化剂         1.9‑2.1份;

抗氧剂         3‑5份。

2.如权利要求1所述的高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于,所述A料和B料中的LLDPE树脂1在190℃和2.16kg的条件下的熔融指数为(5.0±3)g/10min。

3.如权利要求1所述的高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于,所述A料中的LLDPE树脂2在150℃和2.16kg的条件下的熔融指数为(8‑10)g/10min。

4.如权利要求1所述的高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于,所述A料中还含有以下特征中的一个或多个:

加工助剂为FR‑1;

硅烷为乙烯基三甲氧基硅烷;

引发剂为过氧化二异丙苯DCP;

所述A料和B料中的抗氧剂为2,2'‑硫代双[3‑(3,5‑二叔丁基‑4‑羟基苯基)丙酸乙酯]。

5.如权利要求1所述的高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于,所述B料中的催化剂为二月桂酸二丁基锡。

6.一种如权利要求1~5任一项所述的高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料的制备方法,包括A料的制备、B料的制备以及按照配比将A料和B料均匀混合后得到所述高耐温等级的硅烷交联聚乙烯绝缘料;

其中,所述A料的制备方法包括如下步骤:

(1)先将LLDPE树脂1和LLDPE树脂2烘干,再按照配比加入加工助剂并混合均匀;

(2)在捏合锅锅壁加热状态下按照配比将硅烷、引发剂和抗氧剂加入步骤(1)所得的混合料中进行混合,混合均匀后,再经双螺杆挤出经过水槽浸润后拉条切粒;

(3)将步骤(2)获得的粒料依次经过热风干燥、冷风干燥后,真空包装即得水分的重量百分含量≤0.2%的A料;

其中,所述B料的制备方法包括如下步骤:

(1)先将LLDPE树脂烘干,再按照配比加入催化剂,混合均匀后,再经双螺杆挤出经过水槽浸润后拉条切粒;

(2)将步骤(1)所得的粒料依次经过热风干燥、冷风干燥后,包装即得水分的重量百分含量≤0.2%的B料。

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,A料的制备步骤(1)中和B料的制备步骤(1)中,所述LLDPE树脂1和LLDPE树脂2的烘干温度为80~90℃。

8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,A料的制备步骤(2)中,所述捏合锅锅壁的加温温度为45‑55℃。

9.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,A料的制备步骤(2)中,所述双螺杆挤出造粒时各区的温度为:Ⅰ区148~152℃;Ⅱ区118~122℃;Ⅲ区158~162℃;Ⅳ区158~168℃;Ⅴ区158~162℃;Ⅵ区158~162℃;Ⅶ区178~182℃;Ⅷ区188~192℃;Ⅸ区198~202℃;机头228~232℃。

10.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,B料的制备步骤(1)中,所述双螺杆挤出造粒各区的温度为:Ⅰ区138~142℃;Ⅱ区153~157℃;Ⅲ区163~167℃;Ⅳ区168~172℃;Ⅴ区173~177℃;Ⅵ区173~177℃;Ⅶ区178~182℃;Ⅷ区183~187℃;机头193~197℃。

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