[发明专利]一种SOI微半球陀螺敏感结构有效
| 申请号： | 201611139815.3 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107063224B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭中洋;杨军;刘飞;盛洁;窦茂莲;苏翼;夏春晓;刘韧;王登顺;崔健;林梦娜;刘凯 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G01C19/5691 | 分类号： | G01C19/5691;G01C19/56;B81C1/00 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 吕岩甲 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种SOI微半球陀螺敏感结构，该结构包括中心半球谐振子、环形电极、电极绝缘层、离散电极和底座；中心半球谐振子为中心对称结构，包括半球壳体和底部支撑柱；底部支撑柱设置在半球壳体正下方，并与底座固定连接；环形电极和离散电极设置在中心半球谐振子的外侧圆周，并与中心半球谐振子之间形成间隙，环形电极设置在离散电极上，并与离散电极之间通过电极绝缘层实现隔离，离散电极设置在底座上；中心半球谐振子的半球壳体上部自由端至少与环形电极上端面保持齐平。本发明可实现角度(速率积分)工作模式，该工作模式避免了角速率的积分误差等环节，可确保高线性度和大动态测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 半球 陀螺 敏感 结构 | ||
【主权项】：
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