[发明专利]在存储模块中具有存储区块交错操作的半导体存储设备有效
| 申请号： | 201611131046.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107015916B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 权五星;金晋贤;宋元亨;崔志显 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G11C11/408 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储设备包含半导体存储设备中的第一存储区和半导体存储设备中的第二存储区。基于使用选择信号，独立于第一存储区访问第二存储区。第一存储区和第二存储区共享命令和地址线，并且基于使用选择信号执行存储区块交错操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 模块 具有 区块 交错 操作 半导体 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体存储设备，包括：第一存储区，所述第一存储区位于所述半导体存储设备中；以及第二存储区，所述第二存储区位于所述半导体存储设备中，其中基于使用选择信号，独立于所述第一存储区访问所述第二存储区，其中所述第一存储区和第二存储区共享命令和地址线，并且基于所述使用选择信号，执行存储区块交错操作，并且其中所述半导体存储设备以单芯片的型式安装于存储模块上。
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