[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池在审
| 申请号： | 201611130595.8 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106784068A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与窗口层接触；还包括减反层，所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。本发明中，石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 砷化镓 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与窗口层接触；还包括减反层，所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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